伯東企業上海有限公司為您提供雙離子源輔助離子束濺射技術獲取高反射吸收ta2o5薄膜。為了獲取---紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 kri 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術鍍制 ta2o5 薄膜進行研究.
其系統工作示意圖如下：
該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺等部分組成.
其中雙離子源中的一個離子源適用于濺射靶材, 另個離子源是用于基材的預清洗.
用于濺射的離子源采用伯東的 kri ---型射頻離子源 380, 其參數如下:
伯東 kri ---型射頻離子源 rficp 380 技術參數：
portant;"> 射頻離子源型號
portant;"> rficp 380
portant;"> discharge 陽極
portant;"> 射頻 rficp
portant;"> 離子束流
portant;"> >1500 ma
portant;"> 離子動能
portant;"> 100-1200 v
portant;"> 柵極直徑
portant;"> 30 cm φ
portant;"> 離子束
portant;"> ---
portant;"> 流量
portant;"> 15-50 sccm
portant;"> 通氣
portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
portant;"> 典型壓力
portant;"> < 0.5m torr
portant;"> 長度
portant;"> 39 cm
portant;"> 直徑
portant;"> 59 cm
portant;"> 中和器
portant;"> lfn 2000
理由：
---型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
用于預清洗的離子源是采用伯東 kri 霍爾離子源 gridless eh 3000
kri 霍爾離子源 gridless eh 3000 技術參數:
portant;"> 離子源型號
portant;"> 霍爾離子源
eh3000
eh3000lo
eh3000mo
portant;"> cathode/neutralizer
portant;"> hc
portant;"> 電壓
portant;"> 50-250v
50-300v
50-250v
portant;"> 電流
portant;"> 20a
10a
15a
portant;"> 散射角度
portant;"> >45
portant;"> 可充其他
portant;"> ar, o2, n2, h2, organic precursors, others
portant;"> 氣體流量
portant;"> 5-100sccm
portant;"> 高度
portant;"> 6.0“
portant;"> 直徑
portant;"> 9.7“
portant;"> 水冷
portant;"> 可選
其濺射室需要沉積前本底真空抽到 1×10-5pa, 經采用伯東分子泵組 hicube 80 pro, 其技術參數如下：
portant;"> 進氣法蘭
portant;"> 氮氣抽速
n2,l/s
portant;"> ---真空 hpa
portant;"> 前級泵
型號
portant;"> 前級泵抽速
m3/h
portant;"> 前級真空
安全閥
portant;"> dn 40 iso-kf
portant;"> 35
portant;"> < 1x10-7
portant;"> pascal 2021
portant;"> 18
portant;"> avc 025 ma
運行結果：
伯東 kri 雙離子源輔助離子束濺射技術可以制備不同吸收率的355nm高反射吸收 ta2o5 薄膜.
伯東是德國 pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, kri 考夫曼離子源, 美國hva 真空閥門, 美國 intest 高低溫沖擊測試機, 美國 ambrell 感應加熱設備和日本 ns 離子蝕刻機等進口知---的---.
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