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tdgc2j-2kva變壓器 南川區(qū)提升新型電力系統(tǒng)靈活性
從 20 世紀(jì) 80 年代后期，gaas 開始用于對(duì)有源相控陣?yán)走_(dá)進(jìn)行現(xiàn)代化改造，可以說這成就了智能手機(jī)和其他聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 gaas 器件還用于電纜系統(tǒng)分配放大器、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)鏈路和許多其他#高 90 ghz 的射頻應(yīng)用 不過，盡管可以使用 gaas 構(gòu)建相對(duì)高功率的放大器模塊，但采用gan 時(shí)，只需更少的模塊即可實(shí)現(xiàn)更高的射頻輸出功率，而這一輸出功率將在未來幾年內(nèi)繼續(xù)提高
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公平地說，值得注意的一點(diǎn)是，ldmos 技術(shù)也會(huì)隨著時(shí)間的推移不斷發(fā)展，其優(yōu)勢體現(xiàn)在的性上，一些分立 ldmos 晶體管能夠在大于 65:1 的阻抗失配下運(yùn)行而不會(huì)發(fā)生降級(jí)或損壞，而 gan 和 gaas 目前的阻抗失配則在 20:1 左右
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這些分立 ldmos 晶體管還可以產(chǎn)生#高近 2 kw 的射頻輸出功率，不過頻率在 4 ghz 左右，因此，盡管它們?cè)谖磥韼啄耆匀皇?l 和 s 頻段雷達(dá)、廣播、醫(yī)學(xué)成像系統(tǒng)、工業(yè)加熱和干燥應(yīng)用中產(chǎn)生射頻功率的關(guān)鍵器件，但#終都會(huì)被 gan 取代，因?yàn)楹笳叩墓ぷ鞣秶裳由斓胶撩撞▍^(qū)域
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1.jpg 如前面所述，gan 的#大優(yōu)勢之一在于其功率密度，因此能夠以比硅或 gaas 小得多的柵寬產(chǎn)生的射頻功率
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