退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以摻雜劑，將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，移動摻雜劑或?qū)诫s劑從一個薄膜轉(zhuǎn)移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設計的設備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐，超節(jié)能結(jié)構，采用纖維結(jié)構，節(jié)電60%。
紅外線隧道爐程度送風方法，要緊適合于托盤烘烤的物件，風來自于---室雙方，因此放在托盤烘烤結(jié)果會---。反之，如果用垂直送風方法，風由上而下吹出，托盤和高低層產(chǎn)物會把中心的熱風蓋住，造成中心烘烤結(jié)果差，達不到勻稱的結(jié)果，鋪張光陰和動力，還得不得好產(chǎn)物。
紅外線隧道爐垂直高低送風方法，要緊適合于烘烤網(wǎng)架上的物件，風由高低吹出，由于是網(wǎng)架，因此高低通暢性會---，產(chǎn)物能夠勻稱的受熱，比較于程度來說，更節(jié)減動力，服從更高。
3) 在預熱過程中利用抽氣管道將這些氣體直接抽出戶外，時間維持半小時。或半小時以后打開箱門釋放已揮發(fā)的混合二氣體。
4) 給加熱器送電，監(jiān)視控溫儀表的升溫過程，直至工藝規(guī)定的溫度得到穩(wěn)定。
---提醒：
⑴ 企業(yè)應制訂科學合理的操作規(guī)程，規(guī)定好設備的開機升溫、恒溫步驟，以及工件的狀態(tài)、數(shù)量和裝件的方法。職工應嚴格按操作規(guī)程操作。
⑵ 嚴禁對物品進行干燥。應更新舊設備，盡量選用有安全門的產(chǎn)品。
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