振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：-回收硅片，屋頂拆卸電池板回收，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，el，-測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，-償還，返工，光伏模塊回收等。
刻蝕工藝
刻蝕目的
將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈，避免 pn 結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低。
刻蝕原理
采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng)， 采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體-成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴散到硅片邊緣，在那里與硅進行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物四-硅而被去除。
化學(xué)公式： cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工藝流程
預(yù)抽，主抽，送氣，輝光，抽空，清洗，預(yù)抽，主抽 ，電池板，充氣。
影響因素
1. 射頻功率
射頻功率過高：等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)耗盡層造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復(fù)合增加。
射頻功率太低：會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻，從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足，導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降。
2. 時間
刻蝕時間過長：刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大，時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū)，從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合。
刻蝕時間過短：刻蝕不充分，沒有把邊緣鱗去干凈， pn 結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。
4. 壓力
壓力越大，氣體含量越少，參與反應(yīng)的氣體也越多，刻蝕也越充份。
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單晶硅太陽能電池片
太陽能電池片特性
光電轉(zhuǎn)換-，-性高。
-的擴散技術(shù)，-擴散的均勻性。
-的 pecvd 成膜技術(shù)，給電池表面鍍上深藍色的氮化硅減反射膜，顏色均勻美觀。
應(yīng)用-的金屬漿料制作背場和電極，--的導(dǎo)電性、-的附著力和-的電極可焊性。
-的絲網(wǎng)印刷和高平整度，使得電池易于自動焊接和激光切割。
a--- 電池邊長 ;
b--- 正面主柵線背面電極中心間距;
c--- 正面主柵線背面電極中心到電池邊沿距離 ;
d--- 細柵線末端到電池邊沿距離;
e--- 正面主柵線寬度 ;
f--- 鋁背場邊到電池邊沿距離 ;
g--- 背電極寬度 ;
h--- 電池對角線長度 ;
i--- 背電極頂端到電池邊沿距離
單位： mn
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電池片生產(chǎn)工藝流程
一 、 制絨
a. 目的
在硅片的表面形成坑凹狀表面，減少電池片的反射的太陽光，增加二次反射的面積。 一般情況下，用堿處理是為了得到金字塔狀絨面；用酸處理是為了得到蟲孔狀絨面。不管是哪種絨面，都可以提高硅片的陷光作用。
b.流程
1. 常規(guī)條件下，硅與單純的hf、hno 3 硅表面會被鈍化，二氧化硅與hno 3 不反應(yīng)認為是不反應(yīng)的。但在兩種混合酸的體系中，硅則可以與溶液進行持續(xù)的反應(yīng) 。
硅的氧化
-/亞-hno 2 將硅氧化成二氧化硅主要是亞-將硅氧化
si+4hno 3 =sio 2 +4no 2 +2h 2 o (慢反應(yīng)
3si+4hno 3 =3sio 2 +4no+2h 2 o (慢反應(yīng)
二氧-、一氧-與水反應(yīng)，生成亞-，亞-很快地將硅氧化成二氧化硅 。
2no 2 +h 2 o=hno 2 +hno 3 (快反應(yīng)
si+4hno 2 =sio2+4no+2h 2 o (快反應(yīng)先一步的主反應(yīng)
4hno 3 +no+h 2 o=6hno 2 (快反應(yīng)
只要有少量的二氧-生成，就會和水反應(yīng)變成亞-，只要少量的一氧-生成，就會和-、水反應(yīng)很快地生成亞-，亞-會很快的將硅氧化，生成一氧-，一氧-又與-、水反應(yīng) ， 這樣一系列化學(xué)反應(yīng)終的結(jié)果是造成硅的表面被快速氧化，-被還原成氮氧化物。
二氧化硅的溶解
sio 2 +4hf=sif 4 +2h 2 o(四-硅是氣體
sif 4 +2hf=h 2 sif 6
總反應(yīng)
sio 2 +6hf=h 2 sif 6 +2h 2 o
終反應(yīng)掉的硅以-的形式進入溶液。
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