多晶硅生產(chǎn)流程
1石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%并生成工業(yè)硅， 其化學(xué)反應(yīng)sio2+c***si+co2↑
2為了滿足高純度的需要，回收三星芯片，必須進(jìn)一步提純。把工業(yè)硅粉碎并用無水---hcl與之反應(yīng)在一個流化床反應(yīng)器中，生成擬溶解的sihcl3。 其化學(xué)反應(yīng)si+hcl***sihcl3+h2↑ 反應(yīng)溫度為300度，該反應(yīng)是放熱的。同時形成氣態(tài)混合物н2，нс1，siнс13，sic14，si。
3第二步驟中產(chǎn)生的氣態(tài)混合物還需要進(jìn)一步提純，需要分解：過濾硅粉，冷凝siнс13，sic14，而氣態(tài)н2，нс1返回到反應(yīng)中或排放到---中。然后分解冷凝物siнс13，sic14，凈化多級精餾。
4凈化后的采用高溫還原工藝，以高純的sihcl3在h2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。 其化學(xué)反應(yīng)sihcl3+h2***si+hcl。
多晶硅的反應(yīng)容器為密封的，晉中芯片，用電加熱硅池硅棒直徑5-10毫米，長度1.5-2米，數(shù)量80根，回收閃迪芯片，在1050-1100度在棒上生長多晶硅，直徑可達(dá)到150-200毫米。 這樣大約三分之一的發(fā)生反應(yīng)，并生成多晶硅。剩余部分同н2，нс1，回收芯片，siнс13，sic14從反應(yīng)容器中分離。這些混合物進(jìn)行低溫分離，或再利用，或返回到整個反應(yīng)中。氣態(tài)混合物的分離是復(fù)雜的、耗能量大的，從某種程度上決定了多晶硅的成本和該工藝的競爭力。
車載逆變器產(chǎn)品的主要元器件參數(shù)及代換
her306為3a、600v的快恢復(fù)整流二極管，其反向恢復(fù)時間trr=100ns，可用her307(3a、800v)或者h(yuǎn)er308(3a、1000v)進(jìn)行代換。對于150w以下功率的車載逆變器，其中的快恢復(fù)二極管her306可以用byv26c或者容易購買到的fr107進(jìn)行代換。byv26c為1a、600v的快恢復(fù)整流二極管，其反向恢復(fù)時間trr=30ns；fr107為1a、1000v的快恢復(fù)整流二極管，其反向恢復(fù)時間= 100ns。從器件的反向恢復(fù)時間這一參數(shù)指標(biāo)考慮，代換時選用byv26c更為合適些。
tl494cn、ka7500c為pwm控制芯片。對目前市場上的各種車載逆變器產(chǎn)品進(jìn)行剖析可以發(fā)現(xiàn)，有的車載逆變器產(chǎn)品中使用了兩只tl494cn芯片，有的是使用了兩只ka7500c芯片，還有的是兩種芯片各使用了一只，更為離奇的是，有的產(chǎn)品中居然故弄玄虛，將其中的一只tl494cn或者ka7500c芯片的標(biāo)識進(jìn)行了打磨，然后標(biāo)上各種古怪的芯片型號，讓維修人員倍感困惑。實(shí)際上只要對照芯片的---電路一看，就知道所用的芯片---是tl494cn或者ka7500c。
在這個逆變器設(shè)計中，+20v電源首先用來推動微型處理器，并且管理不同的電路。有關(guān)代碼的實(shí)現(xiàn)，這個逆變器解決方案中采用的8位微型控制器pic18f1320會為igbt驅(qū)動器產(chǎn)生信號，由此提供用來驅(qū)動igbt的信號。以---高電壓ic工藝過程 (g5 hvic)以及鎖存cmos技術(shù)的柵極驅(qū)動器集成高電壓轉(zhuǎn)換和終端技術(shù)，使驅(qū)動器能夠從微型控制器的低電壓輸入產(chǎn)生適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動信號。有關(guān)的邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)cmos或lsttl輸出相容，邏輯電壓可低至3.3v。
速二極管d1和d2提供路徑來把電容器c2及c3充電，并且---高側(cè)驅(qū)動器獲得正確的動力。圖3描繪出相關(guān)的輸出波形。如圖所示，在正輸出半周期內(nèi)，高側(cè)igbt q1經(jīng)過正弦pwm調(diào)制，但低側(cè)q4就保持開通狀況。同樣地，在負(fù)輸出半周期內(nèi)，高側(cè)q2經(jīng)過正弦pwm調(diào)制，而低側(cè)q3則保持開通狀況。這種開關(guān)技術(shù)在輸出lc濾波器之后，于電容器c4的兩端提供60hz交流正弦波。
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