微納光刻加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要---半導體產業發展的應用技術研究，---重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經濟社會發展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業應用技術開發。
接觸式光刻機的掩模版包括了要到襯底上的所有芯片陣列圖形。
光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，---是近年來-和---規模集成電路的發展，更是大---進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的---酸脂就是用于印刷工業的，以后才用于電子工業。光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光---后，在顯影溶液中的溶解度會發生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態涂在硅片表面，而后---燥成膠膜。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，微流控光刻芯片代工，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。
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決定光刻膠涂膠厚度的關鍵參數：光刻膠的黏度viscosity，黏度越低，光刻膠的厚度越薄；
動態噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大，接觸式光刻芯片代工，靜態涂膠已經不能滿足較新的硅片加工需求。相對靜態旋轉法而言，動態噴灑法在光刻膠對硅片進行澆注的時刻就開始以低速旋轉幫助光刻膠進行較初的擴散。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展，較終以高速旋轉形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢，廣東光刻芯片代工，對包括光刻在內的半導體制程工藝提出了新的挑戰。
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光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。
光刻涂膠四周呈現放i射性條紋，主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈，表面有顆粒、滴膠后精致時間過長，部分光刻膠固話，解決的方法主要有更換光刻膠，使用新的光刻膠涂膠來測試一下、將襯底再清洗一次再涂膠、滴膠后馬上旋涂，以免光刻膠有所固化
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