低壓氣相沉積真空鍍膜加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，-重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
pecvd集成了真空、化學(xué)、物理、機械、電氣、高頻等各方面的技術(shù)，是一個較為復(fù)雜的系統(tǒng)。在設(shè)備研究方面，主要解決低溫穩(wěn)定性、粉塵污染、氣路氣密性、高頻輝光放電、全自動計算機控制等技術(shù)問題;在工藝研究方面，主要解決膜厚均勻性、工藝重復(fù)性、光電轉(zhuǎn)換效率等技術(shù)問題。在使用本設(shè)備制作薄膜時要注意3個方面的問題，使用前的調(diào)試、制作薄膜的程序和使用完后的歸位工作。當(dāng)對pecvd通上電時，本機有黃、綠、紅三色燈泡指示，然后按下“上電開關(guān)”，待兩分鐘后按爐體“加熱”開關(guān)即可，江蘇氧化鋅真空鍍膜，記下各溫區(qū)的升溫電流的大小(用鉗形表測量)，并記下升溫時間、到達設(shè)定溫度時間。當(dāng)各溫區(qū)到達預(yù)計溫度時，對兩個溫控儀表進行一次自整定，然后對中間一個儀表再整定。待數(shù)分鐘后若3個溫區(qū)儀表顯示非常平穩(wěn)時，認(rèn)定為pid各個參數(shù)合適，若發(fā)現(xiàn)某個儀表不穩(wěn)就再進行一次自整定。
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真空鍍膜主要利用輝光放電(glowdischarge)將ar離子撞擊靶材(target)表面，靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好，但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的ar離子化，造成靶與ar離子間的撞擊機率增加，提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍，而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用rf交流濺鍍，基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將ar離子撞擊靶材(target)表面，氧化鋅真空鍍膜服務(wù)，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面，這個沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。
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晶硅太陽電池的兩個發(fā)展方向分別是降低成本和提升效率。光伏行業(yè)競爭激烈，繼續(xù)降低成本十分困難，但提升效率仍有較大空間。復(fù)合損失是影響電池效率的關(guān)鍵因素。對于鋁背場al－bsf傳統(tǒng)電池結(jié)構(gòu)和主流的perc電池來說，電池背面金屬／半導(dǎo)體界面缺陷密度較高，界面復(fù)合是造-率損失的重要原因。為了降低界面復(fù)合損失，接觸面積需要進一步減少。然而，接觸面積占總電池面積的比例有一個下限，否則會造成接觸電阻過大，導(dǎo)致填充因子ff降低，電池轉(zhuǎn)換效率下降。另一個方式則是利用結(jié)對載流子的選擇通過特性有效提高一種載流子的輸運，同時阻礙另一種載流子的通過，可大幅減少金屬／半導(dǎo)體界面的復(fù)合。
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