低壓氣相沉積真空鍍膜加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要-半導體產業發展的應用技術研究，-重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經濟社會發展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業應用技術開發。
pecvd集成了真空、化學、物理、機械、電氣、高頻等各方面的技術，是一個較為復雜的系統。在設備研究方面，主要解決低溫穩定性、粉塵污染、氣路氣密性、高頻輝光放電、全自動計算機控制等技術問題;在工藝研究方面，主要解決膜厚均勻性、工藝重復性、光電轉換效率等技術問題。在使用本設備制作薄膜時要注意3個方面的問題，使用前的調試、制作薄膜的程序和使用完后的歸位工作。當對pecvd通上電時，本機有黃、綠、紅三色燈泡指示，然后按下“上電開關”，待兩分鐘后按爐體“加熱”開關即可，江蘇氧化鋅真空鍍膜，記下各溫區的升溫電流的大小(用鉗形表測量)，并記下升溫時間、到達設定溫度時間。當各溫區到達預計溫度時，對兩個溫控儀表進行一次自整定，然后對中間一個儀表再整定。待數分鐘后若3個溫區儀表顯示非常平穩時，認定為pid各個參數合適，若發現某個儀表不穩就再進行一次自整定。
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真空鍍膜主要利用輝光放電(glowdischarge)將ar離子撞擊靶材(target)表面，靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好，但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的ar離子化，造成靶與ar離子間的撞擊機率增加，提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍，而不導電的陶磁材料則使用rf交流濺鍍，基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將ar離子撞擊靶材(target)表面，氧化鋅真空鍍膜服務，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面，這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在基板上形成薄膜。
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晶硅太陽電池的兩個發展方向分別是降低成本和提升效率。光伏行業競爭激烈，繼續降低成本十分困難，但提升效率仍有較大空間。復合損失是影響電池效率的關鍵因素。對于鋁背場al－bsf傳統電池結構和主流的perc電池來說，電池背面金屬／半導體界面缺陷密度較高，界面復合是造-率損失的重要原因。為了降低界面復合損失，接觸面積需要進一步減少。然而，接觸面積占總電池面積的比例有一個下限，否則會造成接觸電阻過大，導致填充因子ff降低，電池轉換效率下降。另一個方式則是利用結對載流子的選擇通過特性有效提高一種載流子的輸運，同時阻礙另一種載流子的通過，可大幅減少金屬／半導體界面的復合。
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