技術指標：
1. 真空室的---真空度達5*10-5pa，漏率為關機12小時≤5pa
2. 真空腔內配有集約樣品臺一套，杭州鈣鈦礦鍍膜設備，配有大擋板和16套小擋板，手動
控制，開關方便快捷，每個小擋板擋兩塊30*30mm樣片
3. 蒸發源共14套，其中10套有機蒸發源，4套金屬蒸發源。控溫
精度±1℃，可以實現溫度或電流補償實現蒸鍍速率穩定的功能
4. 金屬蒸發源配4臺一帶一1000w可控硅調壓電源，通過銅電極
連接，兩端可夾鎢絞絲或者鉭舟，鎢絞絲可以蒸鍍絲狀或者大顆粒
材料，鉭舟可以蒸鍍粉末狀材料，蒸發源采用陶瓷全密封，避免交
叉污染
5. 有機蒸發源配10臺一帶一溫控電源，有機源溫度為室溫-500度，
可以根據材料及用戶需求自行調節
6. 樣品臺具有旋轉、升降功能，可在線更換掩膜板一次，可同時裝
載30mm*30mm樣品16塊。本產品每兩個樣品都配有小擋板，
并且通過plc控制步進電機對每個小擋板做16個定位，使機械手
推拉小擋板，樣品與蒸發源之間的間距為200-300mm
以上內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助！
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主要用途：
用于納米級單層及多層金屬膜、 半導體膜等新材料的制備。廣泛應用 于大專院校的薄膜材料科研。
系統組成:
由真空室、蒸發源、樣品臺、 真空測量、膜厚測試、電控系統組成。
技術指標：
---真空度5.0×10-5pa，系統漏率：1×10-7pal/s； 恢復真空時間：40分鐘可達6.6×10 pa
真空室：d形真空室，尺寸350× 380mm
樣品臺：尺寸為4英寸厚度3mm的平面樣品；
電極：數量：4支水冷結構；直徑φ20㎜
樣品基片:，基片在鍍膜位置實現自轉。基片的溫度從室溫至600℃
4套擋板系統：基片擋板與源擋板；靶擋板共有3套，鈣鈦礦鍍膜設備， 樣品擋板１套
石英晶振膜厚控制儀：膜厚測量范圍0-999999?
可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統。
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通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，石家莊鈣鈦礦鍍膜設備，稱為熱蒸發鍍膜，熱蒸發鍍膜技術是歷史悠久的pvd鍍膜技術之一。熱蒸發鍍膜機一般主要用于蒸發cd、pb、ag、al、cu、cr、au、ni等材料。
在高真空下，采用電阻式蒸發原理，利用大電流在蒸發舟上加熱所蒸鍍材料，使其在高溫下熔化蒸發，從而在樣品上沉積所需要的薄膜。通過調節所加電流的大小，可以方便的控制鍍膜材料的蒸發速率。通常適合熔點低于1500oc的金屬薄膜的制備。
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