計中牽扯到 2 個主要參數(shù)lab、 k，需同時滿足目標值，所以將 lab 進行優(yōu)化設定，
而 k 值通過 sweep 生成多個拓撲結(jié)構(gòu)進行選取。
1 先將turns設置為 3，直接，看看默認這些物理參數(shù)條件下 lab 大概是
多少，結(jié)果盡量在目標值 1.5nh 左右， 方便后續(xù)優(yōu)化 sweep 迭代。
2 對 lab 進行優(yōu)化，選outer radius進行調(diào)整，目標值 1.5n， 頻率點就默認的
即可。反正看的是全頻段結(jié)果，在高頻時應該感值會增加
3 sweep 設置， 為了得到較多的物理拓撲結(jié)構(gòu)， 選擇 2 個物理尺寸進行掃描線
寬 w 和線間距 s，將width和spacing設置為變量 w、 s 后，---ok，
會彈出變量設置對話框。設置 s、w 的起止尺寸和點數(shù)注意不要違反 drc rule。
本例中 w 設置 6 個點， s 設置 5 個點，這樣會有 30 個拓撲結(jié)構(gòu)， 那么 k 值選擇
范圍會大些。
4 類型自行選擇，本例為了快速，選擇的低精度interconnect。也僅生
成 nport 模型，沒有勾選集總 pbm 模型。
在 ade 中根據(jù)設計要求搭建測試電路， 本例按照理想元器件、 和 peakview 模型進
電路測試比對。 電路中已知的終端電阻 rt=50ω， 負載電容 cl=600ff。
1 理想電路： t-coil 和橋接電容 cb 都是按照理想元器件進行設置。這是在電路設
計時的結(jié)果，指標肯定是的。
2 實際電路： t-coil 是 peakview 生成的模型， 通過 instance 調(diào)用過來。 而且 tcoil 模型中存在線圈間耦合電容， 所以橋接電容 cb 要扣除這部分， 否則結(jié)果有
偏差。 需要在測試時對 cb 進行變量掃描， 來找出值
物理層面降低器件或走線電容比較困難， 需要設法將電容電氣特性---掉， 來解決問
題。 kleveland 等-計出分布式 esd 保護系統(tǒng)， 如下圖， 一個四段 esd 保護結(jié)構(gòu)+cpw， 這
種結(jié)構(gòu)通過調(diào)整 cpw 特征阻抗 z0， 來和源端、 負載端進行阻抗匹配， 避免了早期 esd 大電
容引起的阻抗不連續(xù)。 z0 調(diào)整不但考慮 cpw 的電容、 電感效應， 還要包括 esd 電容， 具體
計算公式為： z0=sqrtlcpw/cesd+ccpw。
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