射頻濺射
采用射頻電源代替直流電源，在靶和襯底間施加高頻電壓，濺射時(shí)，靶極會(huì)產(chǎn)生自偏壓效應(yīng)即靶極會(huì)自動(dòng)處于負(fù)電位狀態(tài)，使絕緣靶的濺射得到維持。常用的頻率約為13.56兆赫。
優(yōu)點(diǎn)可以濺射所有材料，包括導(dǎo)體和絕緣體濺射可-生產(chǎn)
磁控濺射
磁控濺射通過在靶陰極表面引入正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面，成螺旋狀運(yùn)行來增強(qiáng)電離效率，增加離子密度和能量以增加濺射率。電源方面可同時(shí)配備直流和射頻兩種。
增強(qiáng)型磁控陰極弧：陰極弧技術(shù)是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積。增強(qiáng)型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用，家具鍍鈦廠家價(jià)格，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能優(yōu)異。
過濾陰極弧：過濾陰極電弧(fca )配有的電磁過濾系統(tǒng)，可將離子源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀粒子、離子團(tuán)過濾干凈，經(jīng)過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過濾掉大顆粒， 因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機(jī)體的結(jié)合力很強(qiáng)。
基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.
b、壓強(qiáng)的大小. 為了---膜層，壓強(qiáng)應(yīng)盡可能低pr≦(pa)
l表示蒸發(fā)源到基片的距離為l(cm)。
c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時(shí)，沉積的膜料原子(或分子)上---吸附氣體分子，因而形成的膜層結(jié)構(gòu)疏松，顆粒粗大，缺陷多;反之，周口家具鍍鈦廠家，膜層結(jié)構(gòu)均勻致密，機(jī)械強(qiáng)度高，家具鍍鈦廠家哪里有，膜層內(nèi)應(yīng)力大.
d、基片的溫度.在通常情況下，基片溫度高時(shí)，吸附原子的動(dòng)能隨之增大，家具鍍鈦廠家選，形成的薄膜容易結(jié)晶化，并使晶格缺陷減少;基片溫度低時(shí)，則沒有足夠大的能量供給吸附原子，因而容易形成無定形態(tài)薄膜.
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