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自打七十年代剛開(kāi)始，日本國(guó)的一些企業(yè)剛開(kāi)始選用逆變電源技術(shù)性，將電壓整流器后逆變電源為5khz上下的高頻，隨后變壓。進(jìn)到八十年代，高頻開(kāi)關(guān)電源技術(shù)性快速發(fā)展趨勢(shì)。德國(guó)西門子公司選用輸出功率晶體三極管作主電子開(kāi)關(guān)，將電源的電源開(kāi)關(guān)-率提升到20khz之上。并將干式變壓器技術(shù)性取得成功地運(yùn)用于高頻率髙壓電源，取消了髙壓變壓器油箱，使變電器系統(tǒng)軟件的容積進(jìn)一步減少。dc電源模塊
中國(guó)對(duì)靜電除塵器髙壓直流電源開(kāi)展了研發(fā)，電壓經(jīng)整流器變成直流，選用全橋零電流量電源開(kāi)關(guān)并聯(lián)諧振整流電路將直流電壓逆變電源為高頻率電壓，佛山dc電源模塊，隨后由高頻變壓器變壓，終整流器為直流髙壓。在電阻器負(fù)荷標(biāo)準(zhǔn)下，輸出直流電壓做到55kv，電流量做到15ma，輸出功率為25.6khz。dc電源模塊
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作為與硅器件的粗略“數(shù)量級(jí)”比較，依據(jù)sic的mosfet器件隔絕工作標(biāo)準(zhǔn)電壓是前邊一種的10倍，電源總開(kāi)關(guān)速度約是其10倍，25℃時(shí)的導(dǎo)通電阻僅有其一半或更小。此外，工作溫度蕞大做到200℃硅器件為125℃，因而使熱設(shè)計(jì)和熱管理方案獲得簡(jiǎn)單。
sic電源總開(kāi)關(guān)器件輸出功率處理能力的一個(gè)實(shí)例是rohmsemiconductor的sct3105krc14，1200v、24a的n橫斷面sic輸出功率mosfet，rds(on)典型值為105mω。該器件具有的導(dǎo)熱系數(shù)特性，相對(duì)于釋放出來(lái)的脈沖寬度能夠迅速---蕞高值，輸出功率水平較低時(shí)，dc電源模塊生產(chǎn)廠家，一種做法是選擇結(jié)合了轉(zhuǎn)化器可調(diào)穩(wěn)壓電源與相關(guān)輸出功率電源總開(kāi)關(guān)器件的ic。該做法的優(yōu)勢(shì)在于可調(diào)穩(wěn)壓電源與功率器件的互連有益于提高電路，dc電源模塊廠家，而在所難免的內(nèi)寄生效應(yīng)特性也在使用說(shuō)明中有一定的描述。
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離散系統(tǒng)方法開(kāi)關(guān)電源。線型開(kāi)關(guān)電源的能效較低，僅為20%至40%，僅有迫切需要極低輸出噪聲的市場(chǎng)定位應(yīng)用才可接受。工業(yè)設(shè)備則甚少要求如此之低的輸出功率相關(guān)噪聲。大部分所有工業(yè)化生產(chǎn)電源轉(zhuǎn)換器都務(wù)必進(jìn)行交流與溝通線路安全防護(hù)，12vdc電源模塊，一般運(yùn)用變壓器進(jìn)行直流變壓器/降，---顧客安全系數(shù)和系統(tǒng)特點(diǎn)。可是，即使運(yùn)用初級(jí)側(cè)變壓器，一些轉(zhuǎn)化器仍務(wù)必內(nèi)部輸入/輸出安全防護(hù)有時(shí)稱作起伏輸出，能用以轉(zhuǎn)化器運(yùn)行、很多開(kāi)關(guān)電源軌正中間的電氣隔離或髙壓軌自舉。輸入/輸出安全防護(hù)可依據(jù)多加變壓器或光耦合器來(lái)進(jìn)行。
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