cvd 制備銥高溫涂層人們之所以對(duì)作涂層材料感興趣是由于這類(lèi)金屬優(yōu)良的性能 。銥具有較強(qiáng)的能力和較高的熔點(diǎn)而受到重視， 是一種較理想的高溫涂層材料 。
20 世紀(jì) 60 年代以來(lái)，鏡片鍍膜設(shè)備， ---航空航天技術(shù)飛速發(fā)展，一些高熔點(diǎn)材料(如石墨碳和鎢鉬鉭鈮等難熔金屬)被大量使用，但這些材料的一個(gè)共同的致命缺點(diǎn)是能力差。
60 年代美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)室(afml)對(duì)石墨碳的銥保護(hù)涂層進(jìn)行過(guò)大量的研究， 采用了多種成型方法制備銥涂層 ，其中包括化學(xué)氣相沉積法 。雖然沒(méi)有制備出令人滿意的厚銥涂層，塑膠鍍膜設(shè)備， 但仍認(rèn)為 cvd 是一種非常有希望且值得進(jìn)一步研究的方法。
化學(xué)氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素單元或多元蒸發(fā)化合物置于反應(yīng)室，當(dāng)高溫氣流進(jìn)入反應(yīng)室時(shí)，可控制的反應(yīng)室可使其發(fā)生一種合適的化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致被沉積物體的表面形成一種膜層，鍍膜設(shè)備，同時(shí)將反應(yīng)產(chǎn)物及多余物從反應(yīng)室蒸發(fā)排除。
化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)稱(chēng)cvd，也即化學(xué)氣相鍍或熱化學(xué)鍍或熱解鍍或燃?xì)忮儯瑢儆谝环N薄膜技術(shù)。常見(jiàn)的化學(xué)氣相沉積工藝包括常壓化學(xué)氣相沉積npcvd，低壓化學(xué)氣相沉積lpcvd，-壓下化學(xué)氣相沉積apcvd。
物---相沉積技術(shù)基本原理可分三個(gè)工藝步驟：
(1)鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，異華或被濺射，也就是通過(guò)鍍料的氣化源。
(2)鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞后，產(chǎn)生多種反應(yīng)。
(3)鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。
認(rèn)識(shí)pvd物---相沉積技術(shù)
物---相沉積技術(shù)工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，真空鍍膜設(shè)備多少錢(qián)，對(duì)環(huán)境---，無(wú)污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域，可制備具有耐磨、耐腐飾、裝飾、導(dǎo)電、絕緣、光導(dǎo)、壓電、磁性、潤(rùn)滑、超導(dǎo)等特性的膜層。
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