電容器在電源中的應用之浪涌電壓保護
開關頻率---的現(xiàn)代功率半導體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。跨接在功率半導體器件兩端的浪涌電壓保護電容器通過吸收電壓脈沖---了峰值電壓，從而對半導體器件起到了保護作用，使得浪涌電壓保護電容器成為功率元件庫中的重要一員。
半導體器件的額定電壓和電流值及其開關頻率左右著浪涌電壓保護電容器的選擇。由于這些電容器承受著很陡的dv/dt值，因此，cbb81電容，對于這種應用而言，薄膜電容器是恰當之選。
高溫條件下陶瓷電容器擊穿機理：
半密封陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時，發(fā)生擊穿失效是比較普遍的---問題。由于陶瓷電容器銀的遷移，陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為相當普遍的問題。熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介質(zhì)電容器中，因為擊穿時局部------，較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。
潮濕對電參數(shù)惡化的影響：
空氣中濕度過高時，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此外，對于半密封結構電容器來說，水分還可滲透到電容器介質(zhì)內(nèi)部，使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。
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向陶瓷電容器施加超過其額定電壓的電壓，會導致短路故障還是開路故障
一般來說，向電容器施加過量電壓后都會導致短路故障。片狀獨石陶瓷電容器的損壞電壓為其額定電壓的5~10倍以上，稍高于額定電壓的外加電壓很難對電容器造成瞬間損壞。
但在使用中如向電容器施加的電壓超過其額定電壓，則不在保修范圍之內(nèi)。
電容器的電壓加速和溫度加速
通過電壓加速與溫度加速系數(shù)可推算出電容器的使用壽命。可將產(chǎn)品使用時的外部環(huán)境溫度及施加電壓作為參數(shù)進行公式化。 一般來說，cbb28電容，阿列紐斯法則被廣泛用于加速公式中，而我們運用以下公式便可簡單地進行推算。 47_01cn.png 在此公式的基礎上，通過在更為嚴苛的條件(更高溫、更高電壓)下進行加速試驗，可推算出產(chǎn)品在實際使用環(huán)境下的使用壽命。 在此，薄膜電容，我們一起來比較一下獨石陶瓷電容器的加速試驗與實際產(chǎn)品使用的假定環(huán)境。我們將電容器的加速試驗---耐久試驗時間視為la，廣西電容，將實際使用環(huán)境下的相當年數(shù)視為ln，用于上述公式。 耐久試驗條件 假定使用環(huán)境 電壓加速系數(shù) 溫度加速系數(shù) 相應年限 ta＝85°c va＝20v la＝1000h tn＝65°c vn＝5v n＝4 θ＝8 ln＝？h 這樣，我們即可通過在85°c、施加20v電壓的環(huán)境下進行了1000h的耐久試驗，推算出在5°c、施加5v電壓的環(huán)境下產(chǎn)品使用年限為1448155h(≒165年！)。計算中使用的電壓加速系數(shù)、溫度加速系數(shù)會由陶瓷材料的種類及構造產(chǎn)生不同，但通過加速計算公式可在相對較短的時間內(nèi)利用試驗結果來驗證長時間的實際使用環(huán)境中的產(chǎn)品使用壽命。
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