拋光墊是化學機械拋光(cmp)系統的重要組成部分。它具有貯存拋光液，并把它均勻運送到工件的整個加區域等作用。
拋光墊的性能主要由拋光墊的材料種類、材料性能、表面結構與狀態以及修整參數等決定。拋光墊的剪切模量或增大拋光墊的可壓縮性，手機拋光液，cmp過程材料去除率增大;采用表面合理開槽的拋光墊，可提高材料去除率，南京拋光液，降低晶片表面的不均勻性;拋光墊粗糙的表面有利于提高材料去除率。對拋光墊進行適當的修整可以增加拋光墊表面粗糙度、使材料去除率趨于一致。與離線修整相比較，在線修整時修整效果比較好。
拋光粉種類有稀土拋光粉、金剛石拋光粉(包括多品金剛石微粉、單品金剛石微粉、納米金剛石微粉)、氧化鋁系列微粉、氧化系列微粉、鍍衣金剛石
微粉等系列。
稀土拋光粉
系稀:土拋光粉具有較優的化學與物理性能，所以在i業制品拋光中獲得了廣泛的應用，如已在各種光學玻璃器件、電視機顯像管.光學眼鏡片、示波管.
平板玻璃、半導體晶片和金屬精密制品等的拋光。以法合成.其顆粒晶體結構與天然的carbonado-相似.通過不飽和鍵結合成多晶體結構。與
單品金剛石相比，多晶金剛石有更多的晶棱和磨削面，電拋光液，每條晶棱都具有切削能力，因此有-的去除率。多品金剛石具有韌性和自銳性，在拋光過程中，
磨料在粒徑大小可影響到磨粒的壓強及其切入工件的-。一般來說 ，在拋光過程中， 粒徑大的磨粒壓-，寶石拋光液，機械去除作用較強，材料去除率較高。所以
粒徑較大的磨粒容易在拋光表面產生較大的殘留劃痕甚至殘留裂紋;而粒徑較小的磨粒可獲得較好的拋光表面。另外在磨粒直徑相同的情況下，球形
磨粒比表面不平的磨粒去除效率更高。
2 ph值調節劑
拋光液中常常添加一些化學試劑用于調節拋光液的ph值。以-拋光過程化學反應的進行。化學機械拋光拋光液一 般分為酸性和堿性兩大類。
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