雖然國際上對各向同性石墨的定義有待于進一步明確，一般是測量產品直徑方向和長度方向的某些物理性能指標并計算其比值，有的用熱膨脹系數的比值表示，較簡單的是以電阻率的比值表示，其異向比在1.0~1.1范圍內稱為各向同性產品，超過1.1稱為各向---產品。日本等工業技術---用等靜壓成型方法生產的大型各向同性石墨直徑達1.5m，長度達3%，體積密度達到1.95-2.0g/cm3，各向---比縮小到1.05。制造各向同性石墨除使用一般石油焦外，還使用改性瀝青焦、天然瀝青焦、氧化石油焦、不經煅燒的生石油焦、天然石墨等。
高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石墨，在組織結構上可分為粗顆粒結構、細顆粒結構和超細顆粒結構三類，島津石墨錐多少錢，高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎材料主要是硅單晶芯片，目前硅單晶的成長工藝主要采用直拉(cz)法，其他方法還有磁場直拉法(mcz)、區域(fz)法以及雙坩堝拉晶法，電子工業用直拉單晶硅約占單晶硅總用量的80%，直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品，采用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱系統。2005年中國需要直拉硅單晶爐用石墨約800t。
高純石墨另一重要用途是加工成各類坩堝，用于生產、稀有金屬或高純金屬、非金屬材料。光譜分析用石墨電極也是一種高純石墨，島津石墨錐，可用于除碳素以外的所有元素的光譜化學分析，光譜分析用石墨電極用擠壓方法成型。成品的雜質元素含量應不大于6*10-5在光譜分析中制備標準樣品和用化學方法捕集雜質時需用光譜純炭粉或光譜純石墨粉，這兩種高純材料對雜質含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，需要含碳量達到99.9995%，總灰分含量小于5*10-6。高純石墨的成型方法有擠壓成型、模壓成型及等靜壓成型三種。
1、糊料的粘結劑用量過大或裝料溫度較高，糊料壓出后彈性回脹較大，應力消失比較慢，均可能導致裂紋。裝料溫度較高時煙氣排除不凈，煙氣夾在糊料中，島津石墨錐報價，也易產生裂紋。
2、糊料的粘結劑用量過小或裝料溫度太低，糊料的塑性較差，糊料之間粘結力小，因而不易壓實，也易于產生裂紋。
3、擠壓嘴子及壓料室的溫度過高，島津石墨錐，緊靠擠壓嘴子及壓料室內壁的糊料受到過分的加熱，因此與壓料室中心部分的糊料溫度相差較大，受壓后這兩種料擠出速度不一樣，壓出后的產品因表面與中心部分回脹系數不一致，這也容易產生裂紋。反過來說，擠壓嘴子和壓料室的加熱溫度較低，而中心部位糊料的溫度較高也會有一樣的后果。
4、涼料時糊料涼得不均勻，有時甚至把已冷成硬塊的糊料也加入壓料室內;而壓料室的加熱不---在短時間內使糊料溫度達到均勻，在這種情況下擠壓出來往往也是造成石墨板表面裂紋的原因。
5、石墨錐離開擠壓嘴子后應利用半圓形(對圓形截面石墨板)的或水平板(對方形截面石墨板)的接受臺托住。如果接受臺位置不當，石墨板壓出后彎曲下垂過大也會造成產品的橫裂。
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