刻蝕設備刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。4、先拆低真空端，取下后端蓋，再取出低真空轉子、旋片及彈簧等。刻蝕的基本目標是在涂膠的硅片上正確地復付制掩膜圖形。現代化的干法刻蝕設備包括復雜的機械、電氣和真空系統，同時配有自動化的刻蝕終點檢測和控制裝置。刻蝕應用工況復雜，varian渦輪分子泵維修，清潔性差，充入特種氣體種類繁多，因此需要特殊處理的干泵和磁懸浮分子泵。 varian渦輪分子泵
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光刻機光刻機是生產-集成電路的---設備，制造和維護需要高度的光學和電子工業基礎，上只有少數廠家掌握，因此光刻機價格昂貴。抽速：cff8/iso160:n2550l/she600l/sh2510l/s。光刻機光刻過程必須在高真空環境中實現，原因是極紫外光很嬌貴，varian渦輪分子泵型號，在空氣中容易損耗。同時，在光刻過程中，設備的動作時間誤差以皮秒計，這對磁懸浮分子泵的振動值要求---。 varian渦輪分子泵
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