硅片厚度也是影響生產力的一個因素，因為它關系到每個硅塊所生產出的硅片數量。超薄的硅片給線鋸技術提出了額外的挑戰，因為其生產過程要困難得多。
除了硅片的機械脆性以外，如果線鋸工藝沒有精密控制，細微的裂紋和彎曲都會對產品良率產生影響。超薄硅片線鋸系統必須可以對工藝線性、切割線速度和壓
力、以及切割冷卻液進行精密控制。
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致力于發展成為一個集太陽能多晶硅料、鑄錠及硅片研發、生產、銷售為一體的“光伏企業”。在多晶硅領域，賽維ldk多晶硅項目建立了國際
的全閉環循環系統，所有的生產工藝成分及廢棄物將全部進行回收，不僅節約了成本，而且保護環境，解決了生產多晶硅的大技術瓶頸。項目投產后，成本
控制將遠-越國內現有生產水平，達到水平。這將是中國有希望在環境、規模、成本、等多方面取得成功的硅料項目。到2009年，賽維
ldk有望成為的產能大、技術、工藝的多晶硅及太陽能硅片生產基地。
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半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離
子狀態，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、-殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括
重金屬金、銅、鐵、鉻等，-影響少數載流子壽命和表面電導；堿金屬如鈉等，引起-漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、-、微生物、有機膠體纖維等，會導
致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學清洗兩種。
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