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mos管與三極管，開(kāi)關(guān)管的區(qū)別：
它們的區(qū)別在于，mos管是單極性管子而三極管屬于雙極性管子，這個(gè)單極性和雙極性的意思是來(lái)自于半導(dǎo)體內(nèi)部載流子類(lèi)型而區(qū)分出來(lái)的，所以單極性就是一種載流子而雙極性就是兩種載流子。
載流子種類(lèi)越多，相互阻礙就越大，6n65場(chǎng)效應(yīng)管，所以單極性管子就會(huì)相比雙極性管子的阻抗小很多，即輸出的電流可以大很多，同時(shí)也允許通過(guò)電流，允許電壓。
根據(jù)mos管，三極管的性質(zhì)可知，通過(guò)對(duì)它們工作電壓的改變可以使它們分別用來(lái)放大信號(hào)，場(chǎng)效應(yīng)管，用來(lái)做開(kāi)關(guān)，而mos管，三極管同時(shí)也有大功率和小功率的各種類(lèi)型管子，因此結(jié)合以上特點(diǎn)可知，mos管，9n90場(chǎng)效應(yīng)管，三極管既可以用來(lái)做開(kāi)關(guān)管也可以用來(lái)做功率管。
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asemi品牌 mos管 sym601 600v mosfet
型號(hào)：sym601
封裝：sot-89
漏極電流vds：1a
漏源電壓id：600v
工作溫度：-55℃~150℃
封裝形式：貼片
種類(lèi)：場(chǎng)效應(yīng)晶體管/mosfet/mos管
品牌：asemi
mos電容的gate電位是0v。金屬gate和半導(dǎo)體backgate在work function上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng)。在器件中，這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位，p型硅負(fù)電位。
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asemi品牌 24n50 mos場(chǎng)效應(yīng)管 插件封裝類(lèi)型mosfet
型號(hào)：24n50
封裝：to-247/3p
漏極電流vds：24a
漏源電壓id：500v
工作溫度：-55℃~150℃
種類(lèi)：場(chǎng)效應(yīng)晶體管
品牌：asemi
場(chǎng)效應(yīng)管(fet)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。fet的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。
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