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mos管mosfet/場效應管的主要參數：
6. 導通電阻ron
·導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
·在飽和區，id幾乎不隨vds改變，6n65場效應管，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
·由于在數字電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用---的ron來近似
·對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
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asemi品牌 mos場效應管 9n90 插件封裝類型 9a 900v
型號：9n90
封裝：to-220ab
漏極電流vds：9a
漏源電壓id：900v
工作溫度：-55℃~150℃
種類：n溝道增強型場效應管
品牌：asemi
mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。
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絕緣型場效應管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用sio2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵---金屬鋁，故又稱為mos管。它的柵極-源極之間的電阻比結型場效應管大得多，6n60場效應管，可達1010ω以上，還因為它比結型場效應管溫度穩定性好、集成化時溫度簡單，場效應管，而廣泛應用于-和---規模集成電路中。
與結型場效應管相同，mos管工作原理動畫示意圖也有n溝道和p溝道兩類，但每一類又分為增強型和耗盡型兩種，因此mos管的四種類型為：
n溝道增強型管、n溝道耗盡型管、
p溝道增強型管、p溝道耗盡型管。
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