從圖 5 的印刷原理示意中可以看出,的作用是將漿料以一定的速度和角度將漿料壓入絲網的漏孔中,宿州芯片,在印刷時對絲網保持一定的壓力,刃口壓強在 10 ~ 15n / cm 之間,回收高通芯片,刮板壓力過大容易使絲網發(fā)生變形,印刷后的圖形與絲網的圖形不一致,也加劇和絲網的磨損,刮板壓力過小會在印刷后的絲網上存在殘留漿料。
材料一般為聚胺脂橡膠或---橡膠,硬度范圍為邵氏 a60° ~ a90° ,刮板條的硬度越低,印刷圖形的厚度越大,材料必須耐磨,刃口有---的直線性,保持與絲網的全接觸;一般選用菱形,它具有 4 個刃口,可逐個使用,利用率高。
速度:速度是決定效率的大因素,以半自動印-為例,印刷所占時間一般為總循環(huán)的 2 / 3 ;印刷速度的設定由印刷圖形和印刷用漿料的黏度決定,速度越高,帶動漿料進入絲網漏孔的時間越短,漿料的填充性會差,出現(xiàn)圖 7 所示現(xiàn)象,如果印刷線條精細,速度應低一些,圖 4 所示的正銀工序中柵線的線寬在 0.1 ~ 0.12nun ,一般速度設定在 200 ~ 250mm / s ,圖 3 所示的背鋁和背銀工序因印刷線條寬速度設定在 300mm / s ;印刷用漿料因不同工序而不同,相應黏度不同,但總體黏度比較低,所以印刷速度較快;在實際的印刷中速度的恒定同樣很重要,如果在印刷過程中速度出現(xiàn)波動,會導致圖形厚度的不一致。
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影響因素
1. 溫度
溫度 t 越高,擴散系數(shù) d 越大,擴散速度越快。
2. 時間
對于恒定源:時間 t 越長結深越深,但表面濃度不變。
對于限定源:時間 t 越長結深越深,表面濃度越小。
3. 濃度
決定濃度是因素:氮氣流量、源溫。
表面濃度越大,擴散速度越快。
4. 第三組元
主要是摻硼量對擴散的影響,雜質增強擴散機制。在二元合金中加入第三元素時,擴散系數(shù)也會發(fā)生變化。摻硼量越大,擴散速率越快。即電阻率越小,越容易擴散。
控制點
方塊電阻,外觀,單片均勻性,整管均勻性。
方塊電阻: 表面為正方形的半導體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。 r= 電阻率 *l/s, 對方塊硅片,長度等于寬度,則 r= 電阻率 / 厚度,方塊電阻~ ( 1/ ns*xj) ns :電化學濃度, xj :擴散結深。
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多晶硅片
單晶硅太陽電池的生產制造必須耗費很多的高純度硅材料,而生產制造這種原材料加工工藝繁雜,熱耗挺大,在太陽電池生產制造固定成本中己超2分之1,加上拉制的單晶硅棒呈圓柱狀,切開制做太陽電池都是圓片,構成太陽能組件平面圖使用率低。因而,80時代至今,---美某些---家資金投入了多晶硅太陽電池的研發(fā)。現(xiàn)階段太陽電池應用的多晶硅原材料,大多數(shù)是帶有很多多晶硅顆粒物的集合體,或用廢次單晶硅料和冶金工業(yè)級硅材料熔融鑄造而成。其加工工藝全過程是挑選電阻為100~300歐母·公分的多晶塊料或單晶硅頭尾料,經粉碎,用1:5的---和---化鈉溶液開展適度的浸蝕,隨后用雙蒸水清洗呈中性化,并風干。用石英坩堝裝上多晶硅料,---好友適當硼硅,放人鑄造爐,在真空泵情況中加溫熔融。熔融后應隔熱保溫約20分鐘,隨后引入高純石墨鑄模中,待漸漸地凝結水冷卻后,即得多晶硅錠。這類硅錠可筑成正方體,便于切開生產加工成正方形太陽電池片,可提升材料使用率和便捷拼裝。多晶硅太陽光電池的制作加工工藝與單晶硅太陽電池類似,其光學變換約12%上下,稍小于單晶硅太陽電池,可是原材料生產制造簡單,節(jié)省熱耗,總體產品成本較低,因而獲得很多發(fā)展趨勢。隨之技術性得提升,現(xiàn)階段多晶硅的變換還可以超過14%上下。
回收---太陽能光伏板
回收工廠太陽能光伏板