青島賽爾微電子有限公司為您提供lpcvd 氧化爐 擴散爐 改造 翻-成本高-。按照客戶要求 ，結合機臺狀況，給出切實可行的方案， 達到客戶功能預期并節省成本。翻新后的機臺可達到原廠機臺性能，可以長期穩定的用于生產。
擴散爐翻新技術指標
1.1工作溫度：200～1300℃
1.2適用硅片尺寸：4～6英寸
1.3裝片數量：正片100～300片/管
1.4爐體恒溫區：300～1000mm
1.5恒溫區精度：＞800℃/±0.5℃ ，＜800℃/±1℃
1.6單點溫度穩定性：600～1300℃/ ±0.5℃/24h
1.7zui大可控升溫速度：15℃/min
1.8zui---溫速度：5℃/min900～1300℃
1.9氣源系統：進口配件、自動軌道焊接
1.10控制系統：整機控制系統采用工業控制計算機windows 系統，中文操作界面，方便簡潔
1.11 氧化工藝：片內≤±2%，片間≤±3%，批間≤±3%，
p預擴：方塊電阻 6~20，片內片間≤±2.5%，片間≤±4%
可選配置：
1.1工藝管數量：1～4管
1.2工作臺：有凈化/無凈化
1.3進出舟模式：手動送片/自動送片懸臂模式、軟著陸模式
1.4適用工藝：氧化干氧、濕氧、擴散磷擴、硼擴、合金氮氣、氮氫、退火等
1.5是否配置氫氧合成外點火爐
1.6是否配置氫氧合成硬件保護裝置
1.7是否配置氫氣燃燒裝置
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