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sic碳化硅襯底片主要分為導電型和半絕緣型，導電型sic碳化硅襯底以n型襯底為主，主要用于外延gan基led等光電子器件、sic碳化硅基電力電子器件等，半絕緣型sic碳化硅襯底主要用于外延制造gan高功率射頻器件。
半絕緣型碳化硅襯底片生產廠商 射頻器件
sic碳化硅晶體結構決定了其---的物理，相對于si和gaas，sic碳化硅擁有更為---的物理性質；禁帶寬度大，接近于si的3倍，---器件在高溫工作下的長期---；擊穿場強高，是si的1o倍，---器件耐壓容量，提高器件的耐壓值；飽和電子速率大，是si的2倍，增加器件的工作頻率和功率密度；熱導率高，超過si的3倍，增加了器件的散熱能力，實現設備的小型化等。
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