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蘇州恒邁瑞材料科技供應的碳化硅外延片以350um厚度4h-n型為襯底層,襯底層晶向為4±0.5°off toward <11-20>。碳化硅外延片產品尺寸有4英寸和6英寸導電類型分為n型及p型,n型碳化硅外延片摻雜氮,p型碳化硅外延片摻雜鋁。
碳化硅外延片生產商 蘇州sic外延片
與傳統硅功率器件制作工藝不同的是,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導通型單晶襯底上額外生長高的外延材料,并在外延層上制造各類器件。主要的外延技術是化學氣相沉積cvd,通過臺階流的生長來實現一定厚度和摻雜的碳化硅外延材料。隨著碳化硅功率器件制造要求和耐壓等級的不斷提高,碳化硅外延材料不斷向低缺陷、厚外延方向發展。近年來,薄碳化硅外延材料20 μm以下的不斷提升,外延材料中的微管缺陷已經消除,掉落物、三角形、胡蘿卜、螺位錯、基平面位錯、深能級缺陷等成為影響器件性能的主要因素。隨著外延生長技術的進步,外延層厚度也從過去的幾μm、十幾μm發展到目前的幾十μm、上百μm。
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