西安易恩電氣科技有限公司為您提供分立器件參數測試儀。en-3020b 半導體參數測試儀，是針對igbt、mos等器件的各種靜態參數而專門設計的一套全自動測試系統。系統標準功率源為2000v/100a。
2.2、主要技術指標
2.2.1、柵極-發射極電壓vges及漏電流iges
電壓vges：0-40v 誤差±2% 分辨率0.1v
電流iges：0.1-10μa 誤差±2% 分辨率0.01μa
集電極電壓：vce=0v
2.2.2、集電極-發射極電壓vces及電流ices
集電極電壓vces：100-2000v 誤差±2% 分辨率1v
集電極電流ices：100μa-5ma 誤差±2% 分辨率10μa
柵極電壓vge=0v
2.2.3、柵極-發射極閥值電壓vge(th)
vge(th)：1-10v 誤差±2% 分辨率0.1v
顯示柵極-發射極閾值電壓vge(th)
2.2.4、集電極發射極飽和電壓vce(sat)
vcesat：0.2-5v 誤差±2% 分辨率10mv
集電極電流ice：10-100a 誤差±2% 分辨率1a
2.2.5、二極管壓降測試vf
vf：0-5v 誤差±3% 分辨率10mv
柵極電壓vge：0v
電流if：10-100a 誤差±2% 分辨率1a
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