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一般除了低頻磁場外，大部分金屬材料可以提供100db以上的屏蔽效能。但在實際工作中，要達到80db以上的屏蔽效能也是十分困難的。這是因為，屏蔽體的屏蔽效能不僅取決于屏蔽體的結(jié)構(gòu)。屏蔽體要滿足電磁屏蔽的基本原則。電磁屏蔽的基本原則有兩個：
1屏蔽體的導電連續(xù)性：這指的是整個屏蔽體必須是一個完整的、連續(xù)的導電體。這一點在實現(xiàn)起來十分困難。因為一個完全封閉的屏蔽體是沒有任何使用價值的。一個實用的機箱上會有很多孔縫造成屏蔽：通風口、顯示口、安裝各種調(diào)節(jié)桿的開口、不同部分的結(jié)合縫隙等。由于這些導致導電不連續(xù)的因素存在，如果設(shè)計人員在設(shè)計時沒有考慮如何處理，屏蔽體的屏蔽效能往往很低，甚至沒有屏蔽效能。
2不能有直接穿過屏蔽體的導體：一個屏蔽效能再高的屏蔽機箱，一旦有導線直接穿過屏蔽機箱，其屏蔽效能會損失99.9%60db以上。但是，實際機箱上總會有電纜穿出入，至少會有一條電源電纜存在，如果沒有對這些電纜進行妥善的處理屏蔽或濾波，這些電纜會---的損壞屏蔽體。妥善處理這些電纜是屏蔽設(shè)計的重要內(nèi)容之一。穿過屏蔽體的導體的危害有時比孔縫的危害
電磁屏蔽體與接地無關(guān)：對于靜電場屏蔽，屏蔽體是必須接地的。但是對于電磁屏蔽，屏蔽體的屏蔽效能卻與屏蔽體接地與否無關(guān)，這是設(shè)計人員必須明確的。在很多場合，將屏蔽體接地確實改變了電磁狀態(tài)，但這是由于其它一些原因，而不是由于接地導致屏蔽體的屏蔽效能發(fā)生改變。
電磁波在穿過屏蔽體是發(fā)生衰減是因為能量有了損耗，這種損耗可以分成兩個部分：反射損耗和吸收損耗。
反射損耗：當電磁波入射到不同媒質(zhì)的分界面時，就會發(fā)生反射，使穿過界面的電磁能量減弱。由于反射現(xiàn)象而造成的電磁能量損失稱為反射損耗，用字母r表示。當電磁波穿過一層屏蔽體時要經(jīng)過兩個界面，要發(fā)生兩次反射。因此，電磁波穿過屏蔽體時的反射損耗等于兩個界面上的射損反耗總和。反射損耗的計算公式如下：
r=20lg(zw/zs) (db) 式中: zw= 入射電磁波的波阻抗 ，zs=屏蔽材料的特性阻抗
|zs|=3.68×10-7fμrσr1/2式中: f= 入射電磁波的頻率 ，μr=相對磁導率，σr=相對電導率
吸收損耗：電磁波在屏蔽材料中傳播時，會有一部分能量轉(zhuǎn)換成熱量，導---磁能量損失，損失的這部分能量成為屏蔽材料的吸收損耗，用字母a表示，計算公式如下：
a=3.34tfμrσr1/2 (db)
多次反射修正因子:電磁波在屏蔽體的第二個界面穿出屏蔽體的界面發(fā)生反射后，會再次傳輸?shù)?--個界面，在---個界面發(fā)射再次反射，而再次到達第二個界面，在這個界面會有一部分能量穿透界面，泄漏到空間。這部分是額---漏的。應(yīng)該考慮進屏蔽效能的計算。這就是多次反射修正因子，用字母b表示，大部分場合，b都可以忽略。
se = r + a + b從上面給出的屏蔽效能計算公式可以得出一些對工程有實際指導意義的結(jié)論，根據(jù)這些結(jié)論，我們可以決定使用什么屏蔽材料，注意什么問題。下面給出的結(jié)論，初步一看，會感到雜亂無章，無從應(yīng)用，但是結(jié)合上面第3和第4條仔細分析后，會發(fā)現(xiàn)這些結(jié)論都有著內(nèi)在聯(lián)系。深入理解下面的結(jié)論對于結(jié)構(gòu)設(shè)計是十分重要的。
1材料的導電性和導磁性越好，屏蔽效能越高，但實際的金屬材料不可能---這兩個方面，例如銅的導電性---，但是導磁性很差；鐵的導磁性---，但是導電性較差。應(yīng)該使用什么材料，根據(jù)具體屏蔽主要依賴反射損耗、還是吸收損耗來決定是側(cè)重導電性還是導磁性；
2頻率較低的時候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機理，要盡量提高反射損耗；
3反射損耗與輻射源的特性有關(guān)，對于電場輻射源，反射損耗很大；對于磁場輻射源，反射損耗很小。因此，對于磁場輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應(yīng)該選用磁導率較高的材料做屏蔽材料。
4反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關(guān)，對于電場輻射源，距離越近，則反射損耗越大；對于磁場輻射源，距離越近，則反射損耗越小；正確判斷輻射源的性質(zhì)，決定它應(yīng)該靠近屏蔽體，還是原理屏蔽體，是結(jié)構(gòu)設(shè)計的一個重要內(nèi)容。
5頻率較高時，吸收損耗是主要的屏蔽機理，這時與輻射源是電場輻射源還是磁場輻射源關(guān)系不大。
6電場波是容易屏蔽的，平面波其次，磁場波是難屏蔽的。尤其是1khz以下低頻磁場，很難屏蔽。對于低頻磁場，要采用高導磁性材料，甚至采用高導電性材料和高導磁性材料復合起來的材料。
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