GLCC06D Honeywell霍尼韋爾 行程開關(guān) GLBB02A 限位開關(guān) 優(yōu)勢渠道減小了安裝空間，增大了接線空間 * 單刀雙擲雙斷電路，5A 電流容量 * 鑄鐵本體，塑料罩殼 * 標(biāo)準(zhǔn)安裝尺寸 * 電流負(fù)載能力10 A * 特長機(jī)械壽命 * 帶位置指示，

g132單極開關(guān)型霍爾位置傳感器是由內(nèi)部電壓穩(wěn)壓器、霍爾電壓發(fā)生器、差分放大器、溫度補(bǔ)償單元、施密特觸發(fā)器和集電極開路輸出級(jí)組成的磁敏傳感電路，其輸入為磁感應(yīng)強(qiáng)度，輸出是一個(gè)數(shù)字電壓信號(hào)。它是一種單磁極工作的磁敏電路，適合于矩形或者柱形磁體下工作。g132沒有

AH201是基于雙極半導(dǎo)體(Bipolar)工藝設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的霍爾元件，元件內(nèi)部集成了霍爾效應(yīng)片、電壓調(diào)節(jié)器、信號(hào)放大處理電路、施密特觸發(fā)器和一個(gè)開集電極輸出驅(qū)動(dòng)三及管。元件具有較寬的工作電壓范圍和較寬的工作溫度范圍，非常適合在汽車、工業(yè)電器和家電等產(chǎn)品中用作固

藍(lán)牙耳機(jī)用原裝進(jìn)口霍爾開關(guān)bn57y是一款以單極性、功耗低、---封裝、抗磁干擾、抗壓強(qiáng)、---應(yīng)用而開發(fā)的傳感器，采用了---推挽半橋tmr磁傳感器和cmos集成電路。包括tmr電壓發(fā)生器，施密特觸發(fā)器和cmos輸出電路，能將變化的磁場信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字電壓信號(hào)

AR581 - 耐高溫高靈敏度單極霍爾開關(guān) 耐高溫霍爾芯片AR581是基于CMOS工藝設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的霍爾IC，元件內(nèi)部集成了霍爾效應(yīng)片、電壓調(diào)節(jié)器、Chopping放大處理電路、偏移補(bǔ)償電路、施密特觸發(fā)器和一個(gè)開漏極輸出驅(qū)動(dòng)管。元件具有較寬的工作電壓范圍和

ar580 - ---靈敏度單極霍爾開關(guān) 耐高溫霍爾芯片ar580是基于cmos工藝設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的霍爾ic，元件內(nèi)部集成了霍爾效應(yīng)片、電壓調(diào)節(jié)器、chopping放大處理電路、偏移補(bǔ)償電路、施密特觸發(fā)器和一個(gè)開漏極輸出驅(qū)動(dòng)管。元件具有較寬的工作電壓范圍和較

ar249霍爾開關(guān)是一款基于混合信號(hào)cmos技術(shù)的霍爾效應(yīng)傳感器，這款ic采用了---的斬波穩(wěn)定技術(shù)，因而能夠提供準(zhǔn)確而穩(wěn)定的磁開關(guān)點(diǎn)。 在電路設(shè)計(jì)上，ar249提供了一個(gè)內(nèi)嵌的受控時(shí)鐘機(jī)制來為霍爾器件和模擬信號(hào)處理電路提供時(shí)鐘源，同時(shí)這個(gè)受控時(shí)鐘機(jī)制可

ar257單極性s極感應(yīng)霍爾效應(yīng)傳感器是一種溫度穩(wěn)定、耐應(yīng)力、靈敏度低的傳感器（微電源開關(guān)），通過動(dòng)態(tài)實(shí)現(xiàn)---的高溫性能抵消使用斬波穩(wěn)定。此方法通常降低偏移電壓由設(shè)備超模、溫度依賴性和熱應(yīng)力引起。ar257低電壓2.5則可讓芯片達(dá)到工作狀態(tài)，其中包括以下單片

ar43f系列高溫單極性霍爾效應(yīng)集成傳感器是由內(nèi)部電壓穩(wěn)壓單元、霍爾電壓發(fā)生器、差分放大器、溫度補(bǔ)償單元、施密特觸發(fā)器和集電極開路輸出級(jí)組成的磁敏傳感電路，其輸入為磁感應(yīng)強(qiáng)度，輸出是一個(gè)數(shù)字電壓信號(hào)。它是一種單磁極工作的磁敏電路，霍爾開關(guān)適合于矩形或者柱形磁體

單極霍爾開關(guān)AR211是一顆微功耗、高靈敏度單極性的霍爾開關(guān)傳感裝置。內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號(hào)放大處理模塊、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)。由于使用了先進(jìn)的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋