號(hào)hy hy8015 hy8015t 輸 出 容 量 15kva 電 路 方 式 igbt/pwm脈沖寬度調(diào)制方式 調(diào) 節(jié) 方 式 按鍵式快速調(diào)節(jié)電壓、頻率 交 流 輸 入 單相220v 或3相380v/50hz,60hz 交 流

IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET Features 3 rd Generation SiC MOSFET Technology with +15~+18V gate drive H

IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET Features 3rd Generation SiC MOSFET Technology with +15~+18V gate dri

IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET Features 2nd Generation SiC MOSFET Technology with +15V~+18V gate dri

IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET Features 2nd Generation SiC MOSFET Technology with +18V gate drive

IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ 車規(guī)級(jí) SiC MOSFET 特點(diǎn) 高壓、低導(dǎo)通電阻 高速、寄生電容小 高工作結(jié)溫 快速恢復(fù)體二極管 開爾文連接驅(qū)動(dòng) AEC-Q101 認(rèn)證通過 應(yīng)用 車載充

該射頻電源采用3U半機(jī)箱設(shè)計(jì)，整機(jī)功率密度高。支持連續(xù)波、脈沖、多級(jí)脈沖的工作模式�？勺远�義配置脈沖信號(hào)，響應(yīng)速度快，信號(hào)質(zhì)量高。 應(yīng)用特征 該電源主要應(yīng)用對(duì)象包括：刻蝕、ICP、PECVD。

高功率電源是新一代射頻電源發(fā)生器，單臺(tái)輸出功率可達(dá)30kw。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于lcd、光伏等行業(yè)。典型應(yīng)用包括濺射、pecvd和表面處理 產(chǎn)品特征： 輸出功率高， 搭配12寸工業(yè)觸控屏，方便控制于顯示；自主研發(fā)的高功率電源匹配器，能實(shí)現(xiàn)快速匹配；具

是一種用于產(chǎn)生等離子體的裝置，通常被用于在真空環(huán)境中進(jìn)行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝，以及半導(dǎo)體刻蝕和薄膜設(shè)備的預(yù)處理反應(yīng)和清洗等。與傳統(tǒng)等離子體源不同的是，rps通常不直接接觸要處理的表面，而是在一定距離之外產(chǎn)生等離子體，并將等離子體輸送到目標(biāo)表面，

產(chǎn)品性能： 該匹配器能夠提供快速、準(zhǔn)確的阻抗變換�？勺冸娙萦呻姍C(jī)驅(qū)動(dòng)，電機(jī)通過計(jì)算主板控制。 采用高速的匹配算法，可調(diào)的轉(zhuǎn)速，即使是高Q值的系統(tǒng)也能達(dá)到準(zhǔn)確的匹配效果。 通過調(diào)整內(nèi)部繼電器,調(diào)節(jié)不同檔位,達(dá)到匹配。 應(yīng)用對(duì)象： 該雙頻匹配器主要應(yīng)用