隨著科技時(shí)代的發(fā)展，模塊電源越來(lái)越受市場(chǎng)-，在使用模塊電源的時(shí)候，應(yīng)該如何提高模塊電源的穩(wěn)定性和-性呢？下面通過(guò)幾個(gè)方向，介紹如何選取外接輸入、輸出電容，來(lái)提高模塊電源的使用壽命和整個(gè)供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性、-性。
在模塊電源的實(shí)際應(yīng)用中，外接輸入、輸出電容的選取往往會(huì)從幾個(gè)方面入手：
1. 電容額定耐壓值；
2. 電容的容值；
3. 電容的使用壽命。
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電源模塊的耐壓值一般-幾千伏，不過(guò)在應(yīng)用或者測(cè)試中可能會(huì)出現(xiàn)達(dá)不到指標(biāo)的情況。
降低耐壓能力的原因：
1耐壓測(cè)試儀存在開(kāi)機(jī)過(guò)沖
2選用模塊的隔離電壓值不夠
3維修中多次使用回流焊、熱風(fēng)槍
解決方法：可以通過(guò)規(guī)范測(cè)試和規(guī)范使用兩方面-。如：耐壓測(cè)試時(shí)電壓逐步上調(diào)，選取耐壓值較高的模塊，焊接模塊時(shí)要選取合適的溫度，避免反復(fù)焊接，損壞模塊。
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絕緣柵雙極性晶體管insulated gate bipolar tansistor，igbt是一種復(fù)合開(kāi)關(guān)器件，關(guān)斷時(shí)的電流拖 尾會(huì)導(dǎo)致較大的關(guān)斷損耗，如果在關(guān)斷前使流過(guò)它的電流降到零，則可以顯著地降低開(kāi)關(guān)損耗，因此igbt宜采用零電流zcs關(guān)斷方式。igbt在 零電壓條件下關(guān)斷，同樣也能減小關(guān)斷損耗，但是mosfet在零電流條件下開(kāi)通時(shí)，并不能減小容性開(kāi)通損耗。諧振轉(zhuǎn)換器resonantconverter ，rc、準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器qunsi-tesonant converter，qrc、多諧振轉(zhuǎn)換器multi-resonantconverter，mrc、零電壓開(kāi)關(guān)pwm轉(zhuǎn)換器zvs pwm converter、零電流開(kāi)關(guān)pwm轉(zhuǎn)換器zcs pwm converter、零電壓轉(zhuǎn)換zero-voltage-transition，zvtpwm轉(zhuǎn)換器和零電流轉(zhuǎn)換zero- voltage-transition，定做朝陽(yáng)電源價(jià)格，zvtpwm轉(zhuǎn)換器等，均屬于軟開(kāi)關(guān)直流轉(zhuǎn)換器。電力電子開(kāi)關(guān)器件和零開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的發(fā)展，促使了高頻開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展。
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