軟開關(guān)dc/dc轉(zhuǎn)換器的開關(guān)管，在開通或關(guān)斷過程中，或是加于 其上的電壓為零，即零電壓開關(guān)zero-voltage-switching，zvs，或是通過開關(guān)管的電流為零，即零電流開關(guān)zero-current·switching，zcs。這種軟開關(guān)方式可以顯著地減小開關(guān)損耗，以及開關(guān)過程中激起的振蕩，使開關(guān)頻率可以大幅度提高，為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造 了條件。功率場效應(yīng)管mosfet是應(yīng)用較多的開關(guān)器件，它有較高的開關(guān)速度，但同時也有較大的寄生電容。它關(guān)斷時，agv ups電源定做，在外電壓的作用下， 其寄生電容充滿電，如果在其開通前不將這一部分電荷放掉，則將消耗于器件內(nèi)部，這就是容性開通損耗。為了減小或消除這種損耗，功率場 效應(yīng)管宜采用零電壓開通方式zvs。
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諧波系列的電磁干擾幅度受q1和q2的通斷影響。在測量漏源電壓vds的上升時間tr和下降時間tf，或流經(jīng)q1和q2的電流上升率di/dt 時，可以很明顯看到這一點。這也表示，我們可以很簡單地通過減緩q1或q2的通斷速度來降低電磁干擾水平。事實正是如此，延長開關(guān)時間的確對頻率高于 f=1/πtr的諧波有很大影響。不過，此時必須在增加散熱和降低損耗間進行折中。盡管如此，對這些參數(shù)加以控制仍是一個好方法，它有助于在電磁干擾和熱性能間取得平衡。具體可以通過增加一個小阻值電阻(通常小于5ω)實現(xiàn)，該電阻與q1和q2的柵極串聯(lián)即可控制tr和tf，你也可以給柵極電阻串聯(lián)一個 “關(guān)斷二極管”來獨立控制過渡時間tr或tf(見圖3)。這其實是一個迭代過程，甚至連經(jīng)驗豐富的電源設(shè)計人員都使用這種方法。我們的終目標(biāo)是通過放慢晶體管的通斷速度，使電磁干擾降低至可接受的水平，同時---其溫度足夠低以---穩(wěn)定性。
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很多開關(guān)電源的高壓測試和低壓測試都會選用安規(guī)電容，目的是為了濾除高次諧波，防止干擾，提高輸出電壓。一般為隔離式電源，在初級和次級上加y電容是為了給次級的共模電流提供一個回路到初級，減少共模電流對輸出的影響。y電容串接在高壓地和低壓地之間，有時會采用兩個y電容串聯(lián)，作用是為了提高高壓地和低壓地之間之間的耐壓。
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