模塊化是開關(guān)電源發(fā)展的總體趨勢，可以采用模塊化電源組成分布式電源系統(tǒng)，可以設(shè)計(jì)成n+1冗余電源系統(tǒng)，并實(shí)現(xiàn)并聯(lián)方式的容量擴(kuò)展。針對開關(guān)電源運(yùn)行噪聲大這一缺點(diǎn)，若單獨(dú)追求高頻化其噪聲也必將隨著增大，而采用部分諧振轉(zhuǎn)換電路技術(shù)，在理論上即可實(shí)現(xiàn)高頻化又可降低噪聲，北京agv ups電源，但部分諧振轉(zhuǎn)換技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用仍存在著技術(shù)問題，故仍需在這一領(lǐng)域開展大量的工作，以使得該項(xiàng)技術(shù)得以實(shí)用化。電力電子技術(shù)的不斷，使開關(guān)電源產(chǎn)業(yè)有著廣闊的發(fā)展前景。要加快我國開關(guān)電源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度，就必須走技術(shù)之路，走出有-色的產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合發(fā)展之路，為我國-的高速發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
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絕緣柵雙極性晶體管insulated gate bipolar tansistor，igbt是一種復(fù)合開關(guān)器件，關(guān)斷時(shí)的電流拖 尾會導(dǎo)致較大的關(guān)斷損耗，如果在關(guān)斷前使流過它的電流降到零，則可以顯著地降低開關(guān)損耗，因此igbt宜采用零電流zcs關(guān)斷方式。igbt在 零電壓條件下關(guān)斷，同樣也能減小關(guān)斷損耗，agv ups電源批發(fā)，但是mosfet在零電流條件下開通時(shí)，并不能減小容性開通損耗。諧振轉(zhuǎn)換器resonantconverter ，rc、準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器qunsi-tesonant converter，agv ups電源，qrc、多諧振轉(zhuǎn)換器multi-resonantconverter，agv ups電源定做，mrc、零電壓開關(guān)pwm轉(zhuǎn)換器zvs pwm converter、零電流開關(guān)pwm轉(zhuǎn)換器zcs pwm converter、零電壓轉(zhuǎn)換zero-voltage-transition，zvtpwm轉(zhuǎn)換器和零電流轉(zhuǎn)換zero- voltage-transition，zvtpwm轉(zhuǎn)換器等，均屬于軟開關(guān)直流轉(zhuǎn)換器。電力電子開關(guān)器件和零開關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的發(fā)展，促使了高頻開關(guān)電源的發(fā)展。
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在頻域內(nèi)測量輻射和傳導(dǎo)電磁干擾，這就是對已知波形做傅里葉級數(shù)展開，本文中我們著重考慮輻射電磁干擾性能。在同步壓轉(zhuǎn)換器中，引起電磁干擾的主要開關(guān)波形是由q1和q2產(chǎn)生的，也就是每個(gè)場效應(yīng)管在其各自導(dǎo)通周期內(nèi)從漏極到源極的電流di/dt。圖2所示的電流波形(q和q2on)不是很規(guī)則的梯形，但是我們的操作自由度也就，因?yàn)閷?dǎo)體電流的過渡相對較慢，所以可以應(yīng)用henry ott-著作《電子系統(tǒng)中的噪聲降低技術(shù)》中的公式1。我們發(fā)現(xiàn)，對于一個(gè)類似的波形，其上升和下降時(shí)間會直接影響諧波振幅或傅里葉系數(shù)(in)。
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