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---真空度：≤6.7×10 pa
恢復真空時間：從1×10 pa抽至5×10 pa≤20min
系統漏率：6. 7×10-7pa.l/s；
真空室：ф450球型真空室 ，
基片尺寸：可放置4″可實現公轉換靶位描等基片加熱可連續回轉，轉速5-60轉/分基片與蒸發源之間距離300-350mm可調。
二維掃描機械平臺，執行兩自由度掃描，控制的內容主要有公轉換靶、靶自轉、樣品自轉、樣品控溫、激光束掃，
流量控制器1路
烘烤溫度：150℃數顯自動熱偶控溫高溫爐盤，脈沖激光沉積設備公司，數顯自動熱偶控溫可加熱到800℃
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脈沖激光沉積系統配置：
生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓rheed，工作氣壓可達100pa可預留法蘭，用于leed，脈沖激光沉積設備，k-cell， e-beam等其它可選項如臭氧發生器，離子源，掩膜系統等。
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是比較理想的薄膜與涂層合成設備。可制備的薄膜包括氮化物、氧化物、多層膜、鉆石、石墨烯、碳納米管、2d材料。blue wave還提供相關系統配件，例如基片加熱裝置、原位監測工具。此外，bluewave還為您提供標準的薄膜以及材料涂層，例如氧化物涂層、導電薄膜、無定型或納米晶si/sic、晶體aln-gan、聚合物、納米鉆石、hfcvd鉆石涂層以及器件加工。
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