化學清洗和安全知識
1 化學清洗
在半導體器件工藝實驗中。化學清洗是指去除吸附在半導體、金屬材料和器具表面的各種有害雜質或油漬。清洗方法是利用各種化學試劑和有機助熔劑，使吸附在被清洗物體表面的雜質和油類發生化學反應溶解，或輔以超聲波、加熱、真空等物理措施，將雜質除去。從要清潔的物體。表面解吸或解吸，然后用大量高純冷熱去離子水沖洗，得到干凈的表面。
1.1 化學清洗的重要性
工藝實驗中的每個實驗都有化學清洗的問題。化學清洗的對實驗結果有---影響。如果過程處理不當，將得不到實驗結果或實驗結果很差。因此，了解化學清洗的作用和原理對工藝實驗具有重要意義。眾所周知，半導體的重要特性之一是對雜質非常敏感。只要有百萬分之一甚至少量的雜質，就會對半導體的物理性能產生影響。方法。各種功能半導體器件的制造。但也正是因為這個特點，給半導體器件的工藝實驗帶來了麻煩和困難。用于清潔的化學試劑、生產工具和水可能成為有害雜質的來源。即使是干凈的半導體晶圓更長時間暴露在空氣中也會引入明顯的污染物。化學清洗是去除有害雜質，保持硅片表面清潔。
不銹鋼工件經酸洗和水沖洗后
可用含10％(分數)naoh+4％(分數)kmno4的堿1生---鹽溶液在71～82℃中浸泡5～60min，以去除酸洗殘渣，然后用水沖洗，并進行干燥。不銹鋼表面經酸洗鈍化后出現花斑或污斑，氧清洗，可用新鮮鈍化液或較高濃度的擦洗而消掉。至終酸洗鈍化的不銹鋼設備或部件應注意保護，可用聚乙烯薄膜覆蓋或包扎，避免異金屬與非金屬接觸。
對酸性與鈍化廢液的處理，氧氣設備清洗，應符合排放規定。如對含氟廢水可加石灰乳或氯化鈣處理。鈍化液盡可能不用---酸鹽，如有含鉻廢水，可加還原處理。
酸洗可能引起馬氏體不銹鋼氫脆，如需要可通過熱處理去氧(加熱至200℃保溫一段時間)。
6．不銹鋼酸洗鈍化檢驗
由于化學檢驗會破壞產品的鈍化膜，通常在樣板上進行檢驗。方法舉例如下：
(1)---銅滴定檢驗
用8gcus04+500mlh20+2～3mlh2s04溶液滴入樣板表面，保持濕態，如6min內不出現銅的析出為合格。
(2)高鐵滴定檢驗
用2mlhcl+1mlh2s04+1gk3fe(cn)6+97mlh20溶液滴在樣板表面，通過生成藍點的多少及出現時間的長短來鑒定鈍化膜的好壞。
在水的不時循環中，把預先核算好數量的堿洗劑分批參與暫時系統的配液箱中
當堿濃度和ph值抵達預定目的后連續加藥，鷹潭清洗，并繼續循環清洗至預定時間。
2.3 水沖刷
堿洗完畢后把堿液排放干凈，再用清水沖刷，以盡可能高的速度沖刷至出口水的ph值小于9。然后將排水口，不銹鋼清洗，加水至清洗系統滿水位，并按前述辦法將水加熱至預定溫度。
2.41 酸洗
維
持爐內水的溫度于預定溫度，并繼續堅持清洗系統內的水不時循環。向清洗系統中參與預先核算好數量的緩蝕劑，待整個系統中緩蝕劑分布平均后，向系統中參與預
先核算好數量的酸。加酸速度應遲緩，---是以碳酸鹽水垢為主的鍋爐，加酸后會有很多---氣體送出，加酸速度更不能太快。加酸的一同，要從清洗系統的出
口處開端取樣剖析酸的濃度和鐵離子濃度，普通每隔10～15
min取樣剖析一次。當酸加完后，繼續循環或浸泡數小時，并每隔20～30min取樣剖析一次。當發現酸濃度降落到和垢的反響速度顯著減緩時，應及時補償酸。判別酸洗完畢是經過剖析酸的濃度、fen、fe***離子濃度等。當酸濃度在2～3h內安穩不變， fen離子濃度濃度上升到---值并開端降落，即以為酸洗曾經結束判別酸洗完畢的另一個直接而又牢靠的辦法是經過監視管---清洗的水平，來招認鍋爐被清洗的狀況。假定監視管的垢與鍋爐的垢及清洗條件基本一同，那么當監視管段被清洗干凈的時分，也就能夠以為鍋爐被清洗干凈。
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