8高壓大功率開關
?電流能力200a
?隔離耐壓10kv
?響應時間150ms
?脈沖電流20ka不小于10ms
?工作方式氣動控制
?工作氣壓0.4mpa
?工作溫度室溫～40℃
?工作濕度<70%
9尖峰抑制電容
用于防止關斷瞬態過程中的igbt器件電壓過沖。
?電容容量200μf
?分布電感小于10nh
?脈沖電流200a
?工作溫度室溫～40℃
?工作濕度<70%
igbt動態參數測試系統技術要求
1、設備概述
該設備用于功率半導體模塊igbt、frd、肖特基二極管等的動態參數測試，以表征器件的動態特性，大功率igbt測試儀，通過測試夾具的連接，大功率igbt測試儀廠家，實現模塊的動態參數測試。
2、需提供設備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎圖、設備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機潤滑系統圖、電氣接線用、計算機控制程序軟件及其他---的技術文件，設備有通訊模塊必須提供通訊協議及其他---的技術文件，所有資料必須準備正本、副本各一份，大功率igbt測試儀批發，電子版一份；transistor)及triac可控硅、scr晶閘管、gto等各型閘流體與二極管(diode)等，其工作電流與電壓乘積若大于1kw以上，均可屬于大功率的范圍。正本、副本技術資料，應至少有一份采用中文，另一份技術資料可以是英文或中文。
13被測器件旁路開關被測安全接地開關，設備不運行時，大功率igbt測試儀加工，被測接地。?電流能力dc 50a?隔離耐壓15kv?響應時間150ms?工作方式氣動控制?工作氣壓0.4mpa?工作溫度室溫～40℃?工作濕度<70%14工控機及操作系統用于控制及數據處理，采用定制化系統，主要技術參數要求如下：?機箱：4μ 15槽上架式機箱；?支持atx母板；?cpμ：intel雙核；?主板：研華simb；?硬盤：1tb；內存4g；?1可調充電電壓源用來給電容器充電，實現連續可調的直流母線電壓，滿足動態測試、短路電流的測試需求。3個5.25”和1個3.5”外部驅動器；?集成vga顯示接口、4個pci接口、6個串口、6個μsb接口等。?西門子plc邏輯控制
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