技術(shù)要求
3.1整體技術(shù)指標(biāo)
3.1.1 功能與測(cè)試對(duì)象
*1功能
gbt模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。
*2測(cè)試對(duì)象
被測(cè)器件igbt模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)。測(cè)試溫度范圍 tj=25°及125°。
3.1.2 igbt模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)
測(cè)試單元對(duì)igbt模塊和frd的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足iec60747-9以及iec60747-2。
以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。
5、感性負(fù)載
5.1 有效電感 l 100 200 500 1000 μh；
5.2 電流 ic 1000 1000 1000 500 a；
外部電感成陣列的內(nèi)部連接。外部電感的h值傳給pc，檢修用igbt測(cè)試儀價(jià)格，以計(jì)算電流源的---，---脈寬到1000us。
6、標(biāo)準(zhǔn)的雙控制極驅(qū)動(dòng)
6.1 門極電阻可人工預(yù)先設(shè)定如：2.5ω，5ω，檢修用igbt測(cè)試儀批發(fā)，10ω等；
6.2 開(kāi)啟trun-on輸出電壓 vge+ ： +15v；
6.3 關(guān)斷trun-on輸出電壓 vge- ： -15v；
6.4 脈寬： 10 ~ 1000us 單脈沖、雙脈沖總時(shí)間；
6.5 電壓開(kāi)關(guān)時(shí)間： < 50ns；
6.6 輸出內(nèi)阻： < 0.5ω；
為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？
當(dāng)功率元件老化時(shí)，檢修用igbt測(cè)試儀，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)---會(huì)加大，檢修用igbt測(cè)試儀廠家，因而使溫度升高，并使其效能降低。長(zhǎng)期使用后若溫升過(guò)高時(shí)，會(huì)使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。公司擁有一批長(zhǎng)期從事自動(dòng)控制與應(yīng)用、計(jì)算技術(shù)與應(yīng)用、微電子技術(shù)、電力電子技術(shù)方面的人才。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。
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